深圳市福田区新夏电子销售部

SII/精工电池 MS412FE-FL26E MS412FE 3V 长期大量现货

品牌:SII/精工电池 型号:MS412FE-FL26E 容量:1mah 尺寸:4.8*1.2（mm） 标准电压:3V 重量:0.07克

SII/精工电池 MS412FE-FL26E MS412FE长期大量现货

品牌:SII/精工电池 型号:MS412FE-FL26E 容量:1mah 尺寸:4.8*1.2（mm） 标准电压:3V 重量:0.07克

SII/精工电池 MS412FE-FL26E 国内长期大量现货

品牌:SII/精工电池 型号:MS412FE-FL26E 容量:1mah 尺寸:4.8*1.2（mm） 标准电压:3V 重量:0.07克

SII/精工电池 MS614SE-FL28E 国内长期大量现货

品牌:SII/精工电池 型号:MS614SE-FL28E 容量:3.4mah 尺寸:6.8x1.4 标准电压:3V 重量:0.17克

SII/精工电池 MS920SE-FL27E 国内大量现货

品牌:SII/精工电池 型号:MS920SE-FL27E 容量:11mah 尺寸:9.5x2.1mm 标准电压:3V 重量:0.47克

SII/精工电池 MS621FE-FL11E 国内大量现货

品牌:SII/精工电池 型号:MS621FE-FL11E 容量:5.5mah 尺寸:6.8x2.1mm 标准电压:3V 重量:0.23克

供应二维扫描引擎HONEYWELL5180SR

型号/规格:HONEYWELL5180SR 品牌/商标:HONEYWELL

供应温湿度传感器SI7005-B-GMR

型号/规格:SI7005-B-GMR 品牌/商标:SILICONLABS

MS621FE-FL11E 可充电电池,循环充电200次。只做原装。

品牌:seiko

AP2303N-HF

品牌/商标:APEC富顶 型号/规格:AP2303N-HF 封装:SOT-23 批号:NEW+ 类型:其他IC 产品类型:其他

天线开关LX-Q615S2E，LM-D615S4

品牌/商标:KYOceta 型号/规格:LX-Q615S2E，LM-D615S4 种类:磁簧管(磁控式) 额定电压:67（V） 额定电流:78（A） 接触电阻:7887（Ω） *缘电阻:76（MΩ） 产品性质:新品 营销方式:现货 营销价格:优惠

AP73T02GH-HF

品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:AP73T02GH-HF 控制方式:双向 *数:三* 封装材料:金属封装 封装外形:平板形 关断速度:高频(快速) 散热功能:带散热片 频率特性:高频 功率特性:小功率 额定正向平均电流:57（A） 控制*触发电流:12（mA） 稳定工作电流:12（A） 反向重复峰值电压:25（V）

加速传感器BMA150 BMA023 BMA020

是否提供**:否 品牌/商标:BOSCH/博世 型号/规格:BMA150 BMA020 种类:温度 材料:陶瓷 材料物理性质:导体 材料晶体结构:多晶 制作工艺:薄膜 输出信号:数字型 *护等级:55 线性度:44（%F.S.） 迟滞:44（%F.S.） 重复性:56（%F.S.） 灵敏度:56 漂移:65 分辨率:56

供应 XV-3500CB原装爱普生

品牌/商标:EPSON/爱普生 型号/规格:XV-3500CB50.3khz 种类:角度 材料:混合物 材料物理性质:半导体 材料晶体结构:多晶 制作工艺:薄膜 输出信号:数字型 *护等级:11 线性度:11（%F.S.） 迟滞:11（%F.S.） 重复性:11（%F.S.） 灵敏度:11 漂移:11 分辨率:11

供应CSD20060D碳化硅(SiC)功率肖特基

品牌/商标:CREE/科锐 型号/规格:CSD20060D 控制方式:双向 *数:二* 封装材料:金属封装 封装外形:螺旋形 关断速度:普通 散热功能:带散热片 功率特性:大功率 频率特性:*频 额定正向平均电流:88（A） 控制*触发电压:88（V） 控制*触发电流:878（mA） 正向重复峰值电压:887（V） 反向阻断峰值电压:88（V）

批发供应富士场效应管2SK2645

品牌/商标:FUJI/富士通 型号/规格:2SK2645 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-FBM/全桥组件 封装外形:CHIP/小型片状 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:2（V） 夹断电压:2（V） 跨导:2（μS） *间电容:2（pF） 低频噪声系数:2（dB） 漏*电流:2（mA） 耗散功率:2（mW）

AP9972GP AP9972AGP AP9972GP-HF

是否提供**:否 品牌/商标:APEC/富鼎 型号/规格:AP9972GP 应用范围:功率 材料:硅(Si) *性:NPN型 击穿电压VCBO:11（V） 集电*允许电流ICM:4443（A） 集电*耗散功率PCM:44（W） 截止频率fT:33444（MHz） 结构:点接触型 封装形式:TO-220 封装材料:金属封装

供应STM32F103CBT6单片机

型号/规格:STM32F103CBT6 品牌/商标:ST 内存大小:32位

供应STM32F103T8U6 单片机MCU

型号/规格:STM32F103T8U6 品牌/商标:ST 内存大小:32位

供应LPS331APTR 压力传感器

型号/规格:LPS331APTR 品牌/商标:ST